所屬分類： 加入收藏 SCIE 期刊 物理與天體物理 中科院 4區(qū) JCR Q2
半導體學報
半導體學報雜志簡介
- 出版商：Institute of Physics Publishing
- 出版語言：English
- TOP期刊：否
- 出版地區(qū)：PEOPLES R CHINA
- 是否預警：否
- 是否OA：未開放
- 出版周期：12 issues/year
- 中文名稱：半導體學報
- 是否OA：未開放
半導體學報（國際簡稱J SEMICOND，英文名稱Journal Of Semiconductors）是一本未開放獲取（OA）國際期刊，始終站在物理與天體物理研究的前沿。該期刊致力于發(fā)表在物理與天體物理領域各個方面達到最高科學標準和具有重要性的研究成果。全面反映該學科的發(fā)展趨勢，為物理與天體物理事業(yè)的進步提供了有力的支撐。期刊嚴格遵循職業(yè)道德標準，對于任何形式的抄襲行為，無論是文字還是圖形，一旦查實，均可能導致稿件被拒絕。
在過去幾年中，該期刊保持了穩(wěn)定的發(fā)文量和綜述量，具體數(shù)據(jù)如下：
2014年：發(fā)表文章0篇、2015年：發(fā)表文章0篇、2016年：發(fā)表文章0篇、2017年：發(fā)表文章0篇、2018年：發(fā)表文章0篇、2019年：發(fā)表文章0篇、2020年：發(fā)表文章126篇、2021年：發(fā)表文章122篇、2022年：發(fā)表文章111篇、2023年：發(fā)表文章115篇。這些數(shù)據(jù)反映了期刊在全球物理與天體物理領域的影響力和活躍度，同時也展示了其作為學術界和工業(yè)界研究人員首選資源的地位。《Journal Of Semiconductors》將繼續(xù)致力于推動物理與天體物理領域的知識傳播和科學進步，為全球物理與天體物理問題的解決貢獻力量。
期刊指數(shù)
- 影響因子：4.8
- 文章自引率：0.0980...
- Gold OA文章占比：0.00%
- CiteScore：6.7
- 年發(fā)文量：115
- SJR指數(shù)：0.856
- SNIP指數(shù)：0.799
WOS期刊SCI分區(qū)（2023-2024年最新版）
| 按JIF指標學科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學科：PHYSICS, CONDENSED MATTER | ESCI | Q2 | 22 / 79 |
72.8% |
| 按JCI指標學科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學科：PHYSICS, CONDENSED MATTER | ESCI | Q2 | 37 / 79 |
53.8% |
中科院分區(qū)表
中科院SCI期刊分區(qū) 2023年12月升級版
| Top期刊 | 綜述期刊 | 大類學科 | 小類學科 |
| 否 | 否 | 物理與天體物理 4區(qū) |
PHYSICS, CONDENSED MATTER
物理：凝聚態(tài)物理
4區(qū)
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CiteScore（2024年最新版）
CiteScore 排名
| CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore 排名 | ||||||||||||||||||||
| 6.7 | 0.856 | 0.799 |
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學術指標分析
影響因子和CiteScore
自引率
影響因子：指某一期刊的文章在特定年份或時期被引用的頻率，是衡量學術期刊影響力的一個重要指標。影響因子越高，代表著期刊的影響力越大 。
CiteScore：該值越高，代表該期刊的論文受到更多其他學者的引用，因此該期刊的影響力也越高。
自引率：是衡量期刊質量和影響力的重要指標之一。通過計算期刊被自身引用的次數(shù)與總被引次數(shù)的比例，可以反映期刊對于自身研究內(nèi)容的重視程度以及內(nèi)部引用的情況。
年發(fā)文量：是衡量期刊活躍度和研究產(chǎn)出能力的重要指標，年發(fā)文量較多的期刊可能擁有更廣泛的讀者群體和更高的學術聲譽，從而吸引更多的優(yōu)質稿件。
高引用文章
- Electromechanical and photoelectric properties of a novel semiconducting Janus InGaSSe monolayerAuthor：Zhong, Li; Li, Xiaobao; Wang, Wei; Xiao, Xinle
- Gate tunable spatial accumulation of valley-spin in chemical vapor deposition grown 40 degrees-twisted bilayer WS2Author：Zhao, Siwen; Shao, Gonglei; Han, Zheng Vitto; Liu, Song; Zhang, Tongyao
- The twisted two-dimensional ferroelectricsAuthor：Zhang, Xinhao; Peng, Bo
- Review of phonons in moire superlatticesAuthor：Li, Zhenyao; Lai, Jia-Min; Zhang, Jun
- 75 GHz germanium waveguide photodetector with 64 Gbps data rates utilizing an inductive-gain-peaking techniqueAuthor：Li, Xiuli; Zhu, Yupeng; Liu, Zhi; Peng, Linzhi; Liu, Xiangquan; Niu, Chaoqun; Zheng, Jun; Zuo, Yuhua; Cheng, Buwen
- Interface engineering in two-dimensional heterostructures towards novel emittersAuthor：Li, Hua; Ling, Jinyang; Lin, Jiamin; Lu, Xin; Xu, Weigao
- Recent progress on fabrication and flat-band physics in 2D transition metal dichalcogenides moire superlatticesAuthor：Huang, Xinyu; Han, Xu; Dai, Yunyun; Xu, Xiaolong; Yan, Jiahao; Huang, Mengting; Ding, Pengfei; Zhang, Decheng; Chen, Hui; Laxmi, Vijay; Wu, Xu; Liu, Liwei; Wang, Yeliang; Xu, Yang; Huang, Yuan
- Interaction of moire excitons with cavity photons in two-dimensional semiconductor hetero-bilayersAuthor：Gao, Yuchen; Ye, Yu
- Application and prospect of semiconductor biosensors in detection of viral zoonosesAuthor：Zheng, Jiahao; Feng, Chunyan; Qiu, Songyin; Xu, Ke; Wang, Caixia; Liu, Xiaofei; Lv, Jizhou; Yu, Haoyang; Wu, Shaoqiang
- A 640 x 640 ISFET array for detecting cell metabolismAuthor：Yang, Ling; Huang, Yizheng; Song, Zhigang; Tan, Manqing; Yu, Yude; Li, Zhao
